Podroben opis

    Kapaciteta: 1 TB
    Kontroler: Samsung
    NAND Flash: Samsung V-NAND TLC
    DRAM Cache: 1GB LPDDR4
    Dimenzije: 80 x 22 x 2,3 mm
    Format: M.2 (2280)
    Sekvenčno branje: 7450 MB/s
    Sekvenčno pisanje: 6900 MB/s
    Naključno branje (QD 1, nit 1): 22.000 IOPS
    Naključno pisanje (QD 1, nit 1): 80.000 IOPS
    Naključno branje (QD 32, nit 16): 1.200.000 IOPS
    Naključno pisanje (QD 32, nit 16): 1.550.000 IOPS
    Poraba energije: v mirovanju 50 mW, branje 5,4 W, pisanje 5W
    Zanesljivost: TBW 600 TB, MTBF 1,5 milijonov ur
    Podprte funkcije: TRIM, Garbage Collection, S.M.A.R.T.
    Varnost: AES 256-bit enkripcija, TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive IEEE1667